霍尔效应广泛应用于半导体材料的测试和研究中,例如应用霍尔效应测试半导体是电子型还是空穴型,研究半导体内载流子浓度的变化等.在霍尔效应实验中,如图所示,ab宽为1cm,ad长为4cm,ae厚为1.0×10-3cm的导体,沿ad方向通有3A的电流,当磁感应强度B=1.5T的匀强磁场垂直向里穿过abcd平面时,产生了1.0×10-5V的霍尔电压,(已知导体内定向移动的自由电荷是电子),则下列说法正确的是( )
A.在导体的前表面聚集自由电子,电子定向移动的速率v= 23×10-3(m/s)
B.在导体的上表面聚集自由电子,电子定向移动的速率v= 23×103(m/s)
C.在其它条件不变的情况下,增大ad的长度,可增大霍尔电压
D.每立方米的自由电子数为n=2.8×1029个
试卷相关题目
- 1如图所示,宽y、厚x的矩形铜块,放置在磁感应强度为B的匀强磁场中,B垂直铜块表面,铜块中通有沿块长方向的恒定电流I,测得b间电压为U,已知基本电荷为e,则( )
A.Ua>Ub
B.Ua<Ub
C.铜块中自由电荷的体密度n= IBxeU
D.铜块中自由电荷定向移动的平均速度v= UBy
开始考试点击查看答案 - 2磁流体发电机可以把气体的内能直接转化为电能,是一种低碳环保发电机,有着广泛的发展前景,其发电原理示意图如图所示,将一束等离子体(即高温下电离的气体,含有大量带正电和负电的微粒,整体上呈电中性)沿垂直于磁场方向喷射入磁感应强度为B的匀强磁场中,磁场区域有两块面积S、相距为d的平行金属板与外电阻R相连构成闭合电路,设气流的速度为v,平行金属板间的气体电阻为r,则( )
A.两板间电势差为U=Bdv
B.微粒的电荷量越大,流经R的电流I越大
C.流经R的电流为I= BdvR
D.流经R的电流为I= BdvR+r
开始考试点击查看答案 - 3图示是金属材料制成霍尔元件示意图,下面说法正确的是( )
A.把温度这个热学量转换成电阻这个电学量
B.把磁感应强度这个磁学量转换成电压这个电学量
C.M点的电势比N点的电势高
D.N点的电势比M点的电势高
开始考试点击查看答案 - 4为了测量某地地磁场的水平分量Bx,课外兴趣小组进行了如图所示的实验:在横截面为长方形、只有上下表面
A.B为金属板的导管中通以导电液体,将导管沿东西方向放置时,A.B两面出现电势差,测出相应的值就可以求出地磁场的水平分量.假如在某次实验中测得导电液体的流动速度为v、导管横截面的宽为高为b,A.B面的电势差为U.则下列判断正确的是( )A.Bx= Uva
B.Bx= Uvb
C.A面的电势高于B面
D.B面的电势高于A面
开始考试点击查看答案 - 5德国《世界报》报道,个别西方发达国家正在研制电磁脉冲波武器--电磁炸弹.电磁炸弹在高空爆炸时,能使地面上很大范围内的电场强度达到每米数千伏,使得电网设备、通信设施和计算机中的硬盘与软件均遭到破坏.电磁炸弹有如此破坏力的主要原因是( )
A.电磁脉冲引起的电磁感应现象
B.电磁脉冲产生的动能
C.电磁脉冲产生的高温
D.电磁脉冲产生的强光
开始考试点击查看答案 - 6如图所示是霍尔元件的工作原理示意图,如果用d表示薄片的厚度,k为霍尔系数,对于一个霍尔元件k为定值,如果保持电流I恒定,则可以验证UH随B的变化情况.以下说法中错误的是( )
A.将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时,UH将变大
B.在测定地球两极的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持水平
C.在测定地球赤道上的磁场强弱时,霍尔元件的工作面应保持水平
D.改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角,UH将发生变化
开始考试点击查看答案 - 7如图所示,一块通电的铜板放在磁场中,板面垂直于磁场,板内通有如图所示方向的电流,b是铜板左、右边缘的两点,则( )
A.电势φa>φb
B.电势φa<φb
C.电流增大时,|φa-φb|不变
D.其他条件不变,只将铜板改为中性NaCl水溶液时,φa=φb
开始考试点击查看答案 - 8如图是磁流体发电机的示意图,在间距为d的平行金属板
A.C间,存在磁感应强度为
B.方向垂直纸面向外的匀强磁场,两金属板通过导线与变阻器R相连,等离子体以速度v平行于两金属板垂直射入磁场.若要增大该发电机的电动势,可采取的方法是等离子体RAC( )A.增大dB.增大R
C.增大B
D.增大v
开始考试点击查看答案 - 9如图所示,铜质导电板置于匀强磁场中,通电时铜板中电子流方向向上,由于磁场的作用,则( )
A.板左侧聚集较多电子,使b点电势高于a点电势
B.板左侧聚集较多电子,使a点电势高于b点电势
C.板右侧聚集较多电子,使a点电势高于b点电势
D.板右侧聚集较多电子,使b点电势高于a点电势
开始考试点击查看答案 - 10如图所示,闭合金属环从高h的曲面滚下,又沿曲面的另一侧上升,设闭合环初速为零,摩擦不计,则( )
A.若是匀强磁场,环滚上的高度小于h
B.若是匀强磁场,环滚上的高度等于h
C.若是非匀强磁场,环滚上的高度等于h
D.若是非匀强磁场,环滚上的高度大于h
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