如图所示，边长为L的正方形单匝线圈abcd，电阻r，外电路的电阻为R，b的中点和cd的中点的连线 恰好位于匀强磁场的边界线上，磁场的磁感应强度为B，若线圈从图示位置开始，以角速度 绕轴 匀速转动，则以下判断正确的是（       ）

试卷相关题目

• 1如图所示，水平地面上方矩形区域内存在垂直纸面向里的匀强磁场，两个边长相等的闭合正方形线圈Ⅰ和Ⅱ，分别用相同材料，不同粗细的导线绕制（Ⅰ为细导线）。两线圈在距磁场上界面 高处由静止开始自由下落，再进入磁场，最后落到地面。运动过程中，线圈平面始终保持在竖直平面内且下边缘平行于磁场上边界。设线圈Ⅰ、Ⅱ落地时的速度大小分别为 、 ，在磁场中运动时产生的热量分别为 、 ,不计空气阻力，则（       ）

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 2如图所示，粗糙的平行金属导轨与水平面的夹角为 ，宽为L，匀强磁场垂直于导轨平面，磁感应强度为B，导轨上、下两边分别连接电阻R 1和R 2，质量为m的导体棒始终与导轨垂直且接触良好，不计导轨和导体棒的电阻，重力加速度为g。则导体棒ab沿着导轨下滑的过程中（      ）

  A.R1和R2发热功率之比P1：P2=R2：R1

  B.导体棒匀速运动时的速度

  C.安培力对导体棒做的功等于导体棒机械能的减少量

  D.重力和安培力对导体棒做功之和大于导体棒动能的增量

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• 3如图，金属棒acd与足够长的水平光滑金属导轨垂直且接触良好，匀强磁场垂直导轨所在的平面．ab棒在恒力F作用下向右运动，则（       ）

  A.安培力对ab棒做正功

  B.安培力对cd棒做正功

  C.安培力对cd棒不做功

  D.F做的功等于回路产生的总热量和系统动能增量之和

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• 4如图所示，先后以速度v 1和v 2匀速把一矩形线圈拉出有界匀强磁场区域，v 1=2v 2在先后两种情况下(    )  

  A.线圈中的感应电流之比为I1∶I2=2∶1

  B.线圈中的感应电流之比为I1∶I2=1∶2

  C.线圈中产生的焦耳热之比Q1∶Q2=2∶1

  D.通过线圈某截面的电荷量之比q1∶q2=1∶2

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• 5如图所示，边长为2L的正方形虚线框内有垂直于纸面向里的匀强磁场，磁感应强度大小为B.一个边长为L粗细均匀的正方形导线框abcd，其所在平面与磁场方向垂直，导线框的对角线与虚线框的对角线在一条直线上，导线框各边的电阻大小均为R．在导线框从图示位置开始以恒定速度 沿对角线方向进入磁场，到整个导线框离开磁场区域的过程中，下列说法正确的是（       ）

  A.导线框进入磁场区域时产生逆时针方向的感应电流

  B.导线框中有感应电流的时间为

  C.导线框的bd对角线有一半进入磁场时，整个导线框所受安培力大小为

  D.导线框的bd对角线有一半进入磁场时，导线框c两点间的电压为

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• 6竖直放置的平行光滑导轨，其电阻不计，磁场方向如图所示，磁感强度B=0.5T，导体ab及cd长均为0.2m，电阻均为0.1Ω，重均为0.1N，现用力向上推动导体ab，使之匀速上升（与导轨接触良好），此时，cd恰好静止不动，那么ab上升时，下列说法正确的是（ ）

  A.ab受到的推力大小为2N

  B.ab向上的速度为2m/s

  C.在2s内，推力做功转化的电能是0.8J

  D.在2s内，推力做功为0.6J

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• 7如图所示，虚线框内的磁场在均匀增大，直虚线经过圆心。则(    )  

  A.在A点放上一正点电荷，点电荷将受到向右的电场力

  B.A点的场强比B点的场强大

  C.将一点电荷沿直线AB移动，电场力不做功

  D.将一点电荷从A点静止释放，点电荷会沿电场线做圆周运动

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• 8矩形线框abcd在匀强磁场中静止不动，磁场方向与线框平面垂直，磁感应强度B随时间t变化的图像如图乙所示。设t=0时刻，磁感应强度的方向垂直纸面向里，则在0-4s时间内，下图中能正确表示线框ab边所受的安培力F随时间t变化的图像是（规定ab边所受的安培力方向向左为正，线框各边间相互作用的磁场力忽略不计）(    )  

  A.

  B.

  C.

  D.

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• 9一线圈匝数为n=10匝，线圈电阻不计，在线圈外接一个阻值R=2.0Ω的电阻，如图甲所示。线圈内有垂直纸面向里的磁场，线圈内磁通量φ随时间t变化的规律如图乙所示。下列说法正确的是 (    )

  A.线圈中产生的感应电动势为10V

  B.R两端电压为5V

  C.通过R的电流方向为a→b

  D.通过R的电流大小为2.5A

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• 10如图甲所示，n=50匝的圆形线圈M，它的两端点b与内阻很大的电压表相连，线圈中磁通量的变化规律如图乙所示，则b两点的电势高低与电压表的读数为(    )  

  A.φa>φb，20 V

  B.φa>φb，10 V

  C.φa<φb，20 V

  D.φa<φb，10 V

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