2011软件水平考试嵌入式系统设计师辅导笔记(28)2

 　　(5)NOR Flash 与NAND Flash 的区别：

　　A、NOR Flash 的读速度比NAND Flash 稍快一些。

　　B、NAND Flash 的擦除和写入速度比NOR Flash 快很多

　　C、NAND Flash 的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。

　　D、NOR Flash 带有SRAM 接口，有足够的地址引进来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字

　　节。NAND Flash 的地址、数据和命令共用8位总线(有写公司的产品使用16位)，每次读写都要使用复杂

　　的I/O 接口串行地存取数据。

　　E、NOR Flash 的容量一般较小，通常在1MB~8MB 之间;NAND Flash 只用在8MB 以上的产品中。

　　因此，NOR Flash 只要应用在代码存储介质中，NAND Flash 适用于资料存储。

　　F、NAND Flash 中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash 是十万次。

　　G、NOR Flash 可以像其他内存那样连接，非常直接地使用，并可以在上面直接运行代码;NAND Flash

　　需要特殊的I/O 接口，在使用的时候，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。因为设计师绝不能

　　向坏块写入，这就意味着在NAND Flash 上自始至终必须进行虚拟映像。

　　H、NOR Flash 用于对数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，被成为代码闪

　　存;NAND Flash 则用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U 盘等领域，被成为数据闪存。